Defesa de Mestrado – Leonardo Soares

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Título: COMPARAÇÃO DE DIFERENTES TOPOLOGIAS DE PORTAS XOR EM UMA TECNOLOGIA DE 45-nm

Autor: LEONARDO CAMPOS SOARES

Orientação:

  • Denis Franco, Orientador (PPGC-UFPel)

Banca Examinadora:

  • Leomar da Rosa Junior (PPGC-UFPel)
  • Paulo Francisco Butzen (FURG)
  • Julio Carlos Balzano de Mattos (PPGC-UFPel (suplente))

Data: 16 de Setembro de 2016

Hora: 14:00

Local: Sala Pós-1 da FAT

Resumo:
Sistemas digitais estão presentes em grande parte das atividades humanas, e cada vez mais as pessoas interagem diariamente com uma série de circuitos nos mais diversos tipos de equipamentos. As dimensões nanométricas dos atuais dispositivos integrados geram uma série de desafios a serem superados, entre eles a otimização de circuitos para que tenham alto desempenho e baixo consumo, preenchendo requisitos cada vez mais rígidos para que sejam apropriados ao uso em sistemas portáteis de alto desempenho. As portas lógicas XOR (Ou-Exclusivo) possuem papel fundamental para a funcionalidade de diversos circuitos lógicos e o projeto de portas lógicas XOR de alto desempenho, com imunidade a ruídos e baixo consumo de energia constitui importante frente de pesquisa na área de projeto de circuitos integrados. Baseando-se nas regras dos estilos lógicos mais utilizados, CMOS e PTL, muitos arranjos de portas XOR têm sido propostos. Este trabalho apresenta uma investigação sobre estes arranjos e as técnicas que fundamentam seu projeto, bem como os estilos híbridos que têm sido propostos. São avaliados vinte e três arranjos XOR propostos na literatura com os resultados obtidos em simulações de consumo e atraso para uma tecnologia de 45 nm.