Defesa de Dissertação de Mestrado: Vinicius Neves Possani

DEFESA DE DISSERTAÇÃO DE MESTRADO – PPGC

Título: Exploring Independent Gates in FinFET-Based Transistor Network Generation
Autor: Vinicius Neves Possani

Banca:
Prof. Leomar Soares da Rosa Junior (orientadora UFPEL)
Prof. Felipe de Souza Marques (co-orientador UFPEL)

Prof. Paulo Francisco Butzen (FURG)
Prof. Julio Carlos Balzano de Mattos (UFPEL)
Prof. Bruno Zatt (UFPEL)

Data: 29 de janeiro de 2015
Hora: 10:00h
Local: Aud. da Reitoria – 4o. andar – Campus Anglo

Resumo
Inicialmente, este trabalho apresenta uma análise, apontando o impacto da tecnologia FinFET na geração de redes de transistores durante a etapa de síntese lógica. Essa análise apresenta diversos estudos de casos para demonstrar que uma mudança de paradigma vem sendo introduzida pelos dispositivos double gate, como os transistores independent-gate (IG) FinFET. Além disso, o presente trabalho mostra que essa mudança de paradigma deixa uma lacuna a ser explorada, tendo em vista que os métodos de geração de redes de transistores disponíveis na literatura não são capazes de explorar o potencial que os dispositivos double gate oferecem. Então, neste trabalho são propostos dois métodos alternativos para geração de redes de transistors baseadas em dispositivos IG FinFET. Um dos métodos é baseado em grafos e visa encontrar padrões de arranjos promissores para explorar o potencial dos dispositivos double gate. O segundo método proposto visa realizar defatorações em expressões Booleanas a fim de maximizar o uso dos gates independentes de cada transistor IG FinFET. Os experimentos realizados demonstram que os métodos propostos são capazes de gerar redes de transistors IG FinFET otimizadas, com um baixo custo em tempo de execução. Além disso, os resultados obtidos demonstram que de fato os métodos convencionais de geração de redes de transistors não são a melhor alternative para gerar redes baseadas em dispositivos double gate. Com isso, os resultados reforçam a existência de um novo paradigma introduzido pela tecnologia IG FinFET. Enfim, a análise apresentada neste trabalho dá suporte para o desenvolvimento de novas técnicas de geração de redes de transistors IG FinFET.